Szilícium epitaxiás szubsztrátok

Szilícium epitaxiás szubsztrátok

Ezek a szilícium epitaxiás szubsztrátok aprólékosanepitaxiális rétegnövekedésre tervezték, amely nagy-tisztaságú kristálysablonként szolgál a fejlett teljesítmény- és logikai eszközök integrációjához. A precíziós Czochralski (CZ) húzással és ultra-tiszta polírozással készült hordozóink kompromisszumok nélküli felületi környezetet biztosítanak. Ez az atomi-szintű simaság az alapvető követelmény a jó-minőségű homoepitaxiális és heteroepitaxiális lerakódás eléréséhez a félvezetők következő generációjában.

Optimalizált felület a kiváló{0}}minőségű lerakáshoz:Aszabályozott felület és kristály orientációúgy vannak optimalizálva, hogy ideális magképző környezetet biztosítsanak. Szigorúan szabályozva aKi-vágási szög(téves tájékozódás) millifokos pontossággal elősegítjük egy lépés{0}}áramlásnövekedési mechanizmust. Ez minimálisra csökkenti a rács eltérését, és megakadályozza a halmozási hibák és a menetelmozdulások kialakulását, ami elengedhetetlen a következő epi-réteg elektromos jellemzőinek stabilizálásához.

Ellenőrzött ellenállás az eszköz leválasztásához:Kifejezetten Power IC és analóg alkalmazásokhoz tervezték ezeket a hordozókatstabil anyagtulajdonságokrendkívül egységes adalékanyag profillal. Ez lehetővé teszi a hordozó-–-epi interfész precíz vezérlését, javítva az eszköz leválasztását és csökkentve a parazita kapacitást nagy-frekvenciás és nagy{4}}feszültségű környezetben.

Nagy-tisztaságú hőállóság:Mindegyik szubsztrát merev tűréshatára szabályozza az intersticiális oxigénnel és fémes szennyeződésekkel szemben, hogy megakadályozzák az auto{0}}adalékolást és a hő által kiváltott vetemedést. Kiváló mechanikai szilárdságatöbb feldolgozási lépést támogat minimális eltéréssel, megőrzi a geometriai hűséget a magas -hőmérsékletű CVD (Chemical Vapor Deposition) és a gyors hőfeldolgozási (RTP) ciklusok során.

Népszerű tags: szilícium epitaxiás szubsztrátok, Kína szilícium epitaxiás hordozók gyártói, beszállítói, gyárai