Sic szubsztrát
A szilícium-karbid (SiC) hordozók egyre fontosabbá válnak különböző területeken, különösen a teljesítményelektronikában, kiváló tulajdonságaik miatt. A SiC, egy széles sávszélességű félvezető, számos előnnyel rendelkezik a hagyományos szilíciummal szemben, beleértve a nagyobb energiahatékonyságot, a nagyobb hőállóságot és a nagyobb megbízhatóságot. Ezek az attribútumok a SiC szubsztrátumokat kulcsfontosságú összetevővé teszik a fejlett technológiai rendszerek fejlesztésében. A szilícium-karbid, amelyet gyakran SiC-ként is rövidítenek, szilícium és szén vegyülete. Szubsztrátumként az eszközök vagy áramkörök alapjául szolgál. A SiC szubsztrátumok egyedülálló fizikai és elektronikus tulajdonságaik miatt ideális platformot biztosítanak az erősáramú eszközök számára.
- Gyors szállítás
- Minőségbiztosítás
- 24 órás ügyfélszolgálat
A termék bemutatása
Vállalati profil
A 2009-ben alapított Zhonggui Semiconductor a Yangzhou Zhongding Semiconductor Company gyökereitől kezdve a félvezetőipar vezetőjévé nőtte ki magát. A Kínai Tudományos Akadémia Nanos Intézetének műszaki innovációját kihasználva félvezető szilícium lapkák gyártására és technológiai fejlesztésére szakosodtunk. Elkötelezettségünk révén kiváló műszaki csapatot alakítottunk ki, ezzel biztosítva iparági vezető pozíciónkat.
Miért válasszon minket
Gyártási eszköz
100-as osztályú tisztateres létesítményt üzemeltetünk, amely szeletelőgépekkel, csiszológépekkel, ferdevágó gépekkel, vegyi mechanikus polírozógépekkel, vágógépekkel stb. Célunk, hogy ügyfeleinknek professzionális, személyre szabott szolgáltatásokat nyújtsunk.
Profi csapat
Globális hatókörrel rendelkezünk, termékeinket több országban értékesítjük, beleértve az Egyesült Államokat, Oroszországot, az Egyesült Királyságot, Franciaországot és így tovább. Elkötelezettek vagyunk amellett, hogy együttműködjünk ügyfeleinkkel a kölcsönös fejlődés elősegítése és a mindenki számára előnyös partnerségek elérése érdekében.
Bizonyítvány
Korszerű berendezésekkel és erős ISO 9001 minőségirányítási rendszerrel magas színvonalú, személyre szabott megoldásokat biztosítunk ügyfeleink számára.
A mi gyárunk
A Yangzhou Tianshan Town ipari övezetében található Silicore Technologies Ltd. közvetlen forrásból származó gyár, amely testreszabott szilícium alapú termékek szállítására összpontosít.
A szilícium-karbid (SiC) robusztus természetével és széles körű alkalmazási lehetőségeivel rendkívüli tulajdonságainak köszönhetően jelentős hatással van a különböző iparágakra.
A szilícium-karbid (SiC) robusztus természetével és széles körű alkalmazási lehetőségeivel rendkívüli tulajdonságainak köszönhetően jelentős hatással van a különböző iparágakra.
A 6H politípus robusztus mechanikai tulajdonságaival tűnik ki, és gyakran használják ott, ahol a tartósság a legfontosabb.
A szilícium-karbid (SiC) hordozók nagyon tiszta anyagból készülnek, amely egyesíti a szilíciumot és a szenet. A gyártási folyamat a fizikai gőzszállítás (PVT) nevű magas hőmérsékletű technikával kezdődik.
Mi az a Sic szubsztrát?
A szilícium-karbid (SiC) hordozók egyre fontosabbá válnak különböző területeken, különösen a teljesítményelektronikában, kiváló tulajdonságaik miatt. A SiC, egy széles sávszélességű félvezető, számos előnnyel rendelkezik a hagyományos szilíciummal szemben, beleértve a nagyobb energiahatékonyságot, a nagyobb hőállóságot és a nagyobb megbízhatóságot. Ezek az attribútumok a SiC szubsztrátokat kulcsfontosságú összetevővé teszik a fejlett technológiai rendszerek fejlesztésében.
A szilícium-karbid, amelyet gyakran SiC-nak is neveznek, szilícium és szén vegyülete. Szubsztrátumként az eszközök vagy áramkörök alapjául szolgál. A SiC szubsztrátumok egyedülálló fizikai és elektronikus tulajdonságaik miatt ideális platformot biztosítanak az erősáramú eszközök számára.
A Sic Substrate előnyei
Magas hővezetőképesség
A SiC hővezető képessége 3-5-szer nagyobb, mint a szilícium (Si) hordozóké. Ez gyorsabb hőelvezetést tesz lehetővé, és segít alacsonyan tartani a készülék hőmérsékletét.
Magas áttörési feszültség
A SiC hordozók nagy áttörési feszültséggel rendelkeznek, ami lehetővé teszi, hogy ellenálljanak a nagy elektromos mezőknek. Ez lehetővé teszi olyan eszközök fejlesztését, amelyek nagy feszültségen és áramerősséggel működnek, így ideálisak nagy teljesítményű alkalmazásokhoz.
Magas elektronmobilitás
A SiC nagyobb elektronmozgással rendelkezik, mint a Si, ami lehetővé teszi olyan eszközök fejlesztését, amelyek magasabb frekvencián működnek. Ez fontos az olyan alkalmazásokban, mint az RF erősítők és a nagyfrekvenciás kapcsolóáramkörök.
Széles sávszélesség
A SiC széles sávszélességgel rendelkezik, amely lehetővé teszi olyan eszközök fejlesztését, amelyek magasabb hőmérsékleten is működnek. Ez fontos a magas hőmérsékletű alkalmazásokban, például a teljesítményelektronikában és a repülőgépiparban.
Csökkentett teljesítményveszteség
A SiC szubsztrátumok bekapcsolási ellenállása és kapcsolási vesztesége kisebb, mint a Si hordozóké. Ez csökkenti az energiaveszteséget és javítja a hatékonyságot a nagy teljesítményű elektronikus eszközökben.
Sic szubsztrát típusa
Alumínium-nitrid kerámia hordozó
Hatszögletű rendszer, kovalens kötésű wurtzit vegyület, amely [AlN4] tetraéderes szerkezeti egységen alapul, jó hővezető képességgel, megbízható elektromos szigeteléssel, alacsony dielektromos állandóval és dielektromos veszteséggel rendelkezik, nem mérgező, és megfelel a szilícium hőtágulási együtthatójának stb. Kiváló tulajdonságokkal, ideális választásnak tekinthető a magasan integrált félvezető hordozók és elektronikus csomagolóanyagok új generációjához.
Az AlN kerámia alapanyaga, az AlN por előállítási folyamata összetett, magas energiafogyasztású, hosszú ciklusú és költséges. A magas költségek korlátozzák az AlN kerámiák széles körű alkalmazását, ezért az AlN kerámia szubsztrátumokat főként a felső kategóriás iparágakban használják.
Szilícium-nitrid kerámia hordozó
A Si3N4-nek három kristályszerkezete van, nevezetesen fázis, fázis és fázis. Közülük a fázis és a fázis a Si3N4 leggyakoribb formája, és mindegyik hatszögletű szerkezet. A Si3N4 olyan kiváló tulajdonságokkal rendelkezik, mint a nagy keménység, nagy szilárdság, kis hőtágulási együttható, kis magas hőmérsékletű kúszás, jó oxidációs ellenállás, jó forró korróziós teljesítmény és kis súrlódási együttható.
A Si3N4 kerámia azonban gyenge dielektromos tulajdonságokkal rendelkezik (a dielektromos állandó 8,3, a dielektromos veszteség 0.001~0,1) és magas a gyártási költsége, ami korlátozza az elektronikus csomagolókerámia hordozóként való alkalmazását.
Szilícium-karbid kerámia hordozó
A SiC kerámiák magas hővezető képességgel rendelkeznek. A hővezető képesség magas hőmérsékleten 100w/(m·k)~400W/(m·k), ami 13-szorosa az Al2O3-nak. Jó oxidációs ellenállással rendelkezik, bomlási hőmérséklete 2500 fok felett van, és továbbra is használható 1600 fokos oxidáló atmoszférában; jó elektromos szigeteléssel is rendelkezik, és a hőtágulási együtthatója alacsonyabb, mint az Al2O3 és az AlN. A SiC kerámiák erős kovalens kötési tulajdonságokkal rendelkeznek, és nem könnyű szinterelni. Kis mennyiségű bórt vagy alumínium-oxidot gyakran adnak hozzá szinterezési segédanyagként a sűrűség növelésére. A kísérletek azt mutatják, hogy a berillium, a bór, az alumínium és vegyületeik a leghatékonyabb adalékanyagok, amelyekkel a SiC kerámiák sűrűsége elérheti a 98%-ot.
Berillium-oxid kerámia szubsztrát
A BeO az egyetlen hatszögletű wurtzit szerkezet az alkáliföldfém-oxidok között. Mivel a BeO wurtzit és erős kovalens kötés szerkezettel és alacsony relatív molekulatömeggel rendelkezik, magas hővezető képességgel rendelkezik. A BeO alumínium-oxid kb. Hővezető képessége szobahőmérsékleten elérheti a 250 W/(m K), hővezető képessége pedig 10-szer nagyobb, mint a fémé. Magas hőmérsékleten és magas frekvencián jó elektromos tulajdonságokkal, jó hőállósággal és jó ütésállósággal rendelkezik. , jó kémiai stabilitás.
Bár a BeO rendelkezik néhány kiváló tulajdonsággal, végzetes hátránya, hogy por rendkívül mérgező. A BeO por hosszú távú belélegzése mérgezést és akár életveszélyt is okozhat, valamint környezetszennyezést is okozhat, ami nagy hatással van a BeO kerámia hordozók előállítására és alkalmazására [5]. Ezenkívül a BeO gyártási költsége viszonylag magas, ami korlátozza a gyártását és alkalmazását.
Bór-nitrid kerámia hordozó
A bór-nitrid két különböző kristályos formában létezik: hatszögletű és köbös. Közülük a köbös bór-nitrid nagy keménységű, és 1500-1600 fokos magas hőmérsékletnek is ellenáll, így alkalmas szuperkemény anyagokhoz. Megfelelő hőkezelési körülmények között a hatszögletű bór-nitrid magas kémiai és mechanikai stabilitást képes fenntartani nagyon magas hőmérsékleten. A bór-nitrid anyag magas hőstabilitással, kémiai stabilitással és elektromos szigeteléssel rendelkezik. A bór-nitrid kerámiák hővezető képessége szobahőmérsékleten megegyezik a rozsdamentes acéléval, dielektromos tulajdonságai jók. A bór-nitrid törékenyebb, mint a legtöbb kerámia, kicsi a hőtágulási együtthatója, erős hősokkállósággal rendelkezik, és ellenáll az 1500 fok feletti hőmérséklet-különbségek gyors változásainak.
A Sic szubsztrát alkalmazásai
A Sic Substrate, mint a félvezető anyagok harmadik generációjának tipikus képviselője, jelenleg is az egyik legérettebb és legszélesebb körben használt szélessávú félvezető anyag. Kiváló félvezető tulajdonságainak köszönhetően a Sic Substrate kerámia anyagokat széles körben használják különféle területeken. Fontos innovatív szerepet tölt be a modern iparban. Rendkívül ideális félvezető anyag a magas hőmérsékletű, nagyfrekvenciás, sugárzásálló és nagy teljesítményű alkalmazásokban. A Siton nagyon tisztában volt az ilyen piaci lehetőségekkel, és piacra dobta a szilícium-karbid csomagolóanyagokat, amelyeket széles körben dicsértek az ügyfelek. Mivel a szilícium-karbid erőgépek jelentősen csökkenthetik az elektronikus berendezések energiafogyasztását, a szilícium-karbid eszközöket "zöldenergia-eszközöknek" is nevezik, amelyek az "új energiaforradalmat" hajtják végre.
Különféle motorrendszerek
A nagyfeszültségű alkalmazások területén a szilícium-karbid kerámia hordozót használó félvezető szilícium-karbid teljesítményeszközök jelentősen csökkentik az energiafogyasztást. A berendezés hőtermelése jelentősen csökken, a kapcsolási veszteségek akár 92%-kal is csökkenthetők. Tovább egyszerűsítheti a berendezés hűtési mechanizmusát is. A berendezés miniatürizálása nagymértékben csökkenti a hőelvezetéshez szükséges fémanyagok felhasználását.
Félvezető LED világítási mező
A Sic Substrate nagy előnyökkel rendelkezik a nagy teljesítményű LED-ekben. A Sic Substrate kerámia hordozót használó LED-ek nagyobb fényerővel, alacsonyabb energiafogyasztással, hosszabb élettartammal és kisebb egységnyi chipfelülettel rendelkeznek.
Új energetikai járművek
Az új energetikai autóipar megköveteli, hogy az inverterek megbízhatósága messze meghaladja a hagyományos ipari inverterekét a nagy intenzitású áramok kezelésekor; A SiC Sic szubsztrátum jobb hőelvezetéssel, nagy hatékonysággal, magas hőmérséklet-állósággal és nagy megbízhatósággal rendelkezik. ) A kerámia szubsztrátum teljes mértékben megfelel az új energetikai járművek követelményeinek. A Sic Substrate kerámia szubsztrátumok miniatürizálása jelentősen csökkentheti az új energetikai járművek teljesítményveszteségét, lehetővé téve számukra, hogy továbbra is normálisan működjenek különféle zord környezetben.
Általánosan használt felületkezelési eljárások alumínium Sic szubsztrátumhoz
A Sic Substrate kiváló tulajdonságokkal rendelkezik, mint például a nagy fajlagos szilárdság, a fajlagos merevség, a kopásállóság és az alacsony hőtágulási együttható, és fontos felhasználási lehetőségei vannak az űrrepülésben, gépjárműmotorokban, precíziós műszerekben, elektronikus csomagolásban, sportfelszerelésekben stb. Az alumínium-szilícium-karbid azonban nehezen feldolgozható anyag és nehéz tömegesen előállítani, ami nagymértékben korlátozza alkalmazási körét. Ennek főként az az oka, hogy az alumínium-szilícium-karbid feldolgozása komoly károkat okoz a szerszámban. Ha nincs megfelelő feldolgozási technológia, a szerszám költsége megnő. nagyon magas.
Az alumínium-szilícium-karbid kompozit anyagok részecskefázisának köszönhetően az anyag egyenetlen kohászati hibái megnőnek, így az anyag korrózióállósága korróziós közegben rosszabb, mint az erősítő fázis nélküli mátrixötvözeté, mivel az erősítő Maga a fázis korrózióként működhet Aktív centrumként, és megváltoztathatja a mátrix fázisváltozásának kinetikai folyamatát, olyan kicsapódott fázist képezve, amely könnyen korróziót okozhat a mátrix és a megerősített fázis határfelületén. Az interfész maradványfeszültsége és a nagy sűrűségű diszlokációk szintén könnyen okozhatnak lyukkorróziót. Az alumínium-szilícium-karbid kompozitok hatékony felületkezelése megvédheti az anyagot a korrózió, a kopás és a magas hőmérsékletű oxidáció okozta sérülésektől. Jelenleg az alumínium-szilícium-karbid felületkezelési módszerek közé tartozik a mikroíves oxidáció, az eloxálás, a kémiai passziválás, a szerves bevonat és az elektromos nikkelezés.
Nyersanyag zúzás:Használjon kalapácsos zúzógépet a kőolajkoksznak a folyamat által megkövetelt részecskeméretre történő töréséhez.
Adagolás és keverés:Mérjük le és keverjük össze az előírt képlet szerint. Ez a projekt platformot használ az adagoláshoz és egy betonkeverőt a keveréshez.
Szilícium-karbid elektromos kemence előkészítése:Tisztítsa meg a kemence fenékanyagát, vágja le az elektródákat, tisztítsa meg és javítsa meg a kemence falát, szerelje be a teljesítményt és az első fokozatot, ellenőrizze és szüntesse meg a kemence egyéb hibáit.
A kemence töltése:Töltsük fel a kemencét reakcióanyagokkal, szigetelőanyagokkal és kemencemag anyagokkal a kemenceanyagok meghatározott típusának, elhelyezkedésének és méretének megfelelően, és építsük meg az olvasztókemence oldalfalait, amelyek szigetelő és anyagtartó funkciót látnak el.
Küldjön áramot a szilícium-karbid olvasztásához:Csatlakoztassa a szilícium-karbid elektromos kemencét a transzformátorhoz, majd küldje el a tápfeszültséget. Az első 15 percben nyílt lángot használnak a CO meggyújtására. Az olvasztási folyamat 170 órán át tart. A fenti a szilícium-karbid általános gyártási folyamata. A konkrét gyártási folyamat a gyártótól és a termék követelményeitől függően változhat.
Alumínium szilícium-karbid szubsztrátumokat vasúti járművekben, repülőgépekben, félvezető IGBT-eszközökben és más termékterületeken használnak, főként azért, mert az alumínium alapú szilícium-karbid szubsztrátumoknak magas a hővezető képessége, a hőtágulási együtthatója jobban illeszkedik a chiphez, könnyű súly, alacsony sűrűség, nagy keménység és nagy ellenállás Hajlítószilárdság.
Szilícium-karbid hordozók és szilícium-nitrid hordozók jellemzői és előnyei
Szilícium-karbid szubsztrát Az alumínium-szilícium-karbid (AISiC) a szilícium-karbid részecskékkel megerősített kompozit anyag, más néven alumínium-szilícium-karbid vagy alumínium-szilícium-karbon rövidítése. Nagyon fontos és kiemelkedő előnyei vannak a hadiiparban történő alkalmazáskor.
● Az AISiC magas hővezető képességgel rendelkezik (170-200 W/mK), ami tízszerese az általános csomagolóanyagokénak. A chip által termelt hőt időben elvezetheti, és javíthatja a teljes alkatrész megbízhatóságát és stabilitását.
●Az AISiC hőtágulási együtthatója jól illeszkedik a félvezető chiphez és a kerámia hordozóhoz. Az állítható hőtágulási együttható (6,5–9,5x10-6/K) megakadályozhatja a kifáradásos meghibásodást, és a tápchip akár közvetlenül is felszerelhető az AISiC alaplemezére. kiváló.
● A szilícium-karbid szubsztrátum könnyű, erős keménységű, nagy hajlítószilárdságú és jó a földrengésállósága. A választott anyag zord körülmények között.
A szilícium-karbid szubsztrátumok és a szilícium-nitrid hordozók alkalmazása eltérő
A szilícium-nitrid kerámia hordozók nagy mechanikai szilárdsággal, kopásállósággal és jó hővezető képességgel rendelkeznek. Főleg a repülőgépiparban, az autóipari motorokban, az autóipari lengéscsillapítókban, a mechanikus orvosi berendezésekben, az ipari kemencékben, az intelligens elektronikus berendezésekben, a nagy teljesítményű modulokban és más területeken használják őket. Célja; A szilícium-karbidot vasúti mozdonyokban, repülőgépekben, félvezető IGBT eszközökben és más termékterületeken használják, és a hadiiparban is jól alkalmazható.
A mi gyárunk
Az egyedi gyártású szilícium lapkákra, magkristályokra, szilícium céltárgyakra és távtartókra való specializációnk lehetővé teszi számunkra, hogy kielégítsük a félvezető- és napenergia-ipar különböző igényeit. A személyre szabott szolgáltatások iránti elkötelezettségünk lehetővé teszi ügyfeleink számára, hogy konkrét projektcéljaikat pontosan és hatékonyan érjék el.
GYIK
Népszerű tags: sic szubsztrát, kínai sic szubsztrát gyártók, beszállítók, gyár
