Melyek a szilícium-karbid lapkák polírozási folyamatai?

A szilícium-karbid lapka (SiC) polírozási folyamata általában a következő lépésekből áll:
1. Felülettisztítás: Először a szilícium-karbid lapka felületét megtisztítják, hogy eltávolítsák a felületi szennyeződéseket és szennyeződéseket. Ez oldószeres tisztítással, ultrahangos tisztítással vagy más megfelelő módszerrel valósítható meg.
2. Durva őrlés: Helyezze az ostyát egy meghatározott darálóba, hordjon fel csiszolószemcséket (például alumínium-oxidot) és őrlőfolyadékot (például polimetil-metakrilátot) a forgó korongra, majd őrölje és őrölje a forgás és a mozgás kölcsönhatásával. Lapos felület.
3. Közepes őrlés: Durva őrlés után az ostyát közepesen köszörülésnek vetik alá, hogy tovább csökkentsék a felületi érdesség és javítsák a síkságot. Ez a lépés általában kisebb csiszolórészecskéket és zagyot használ.
4. Finom csiszolás: A finom csiszolással finomabb felületet érünk el. Használjon kisebb csiszolószemcséket és csiszolófolyadékot az ostya finom őrléséhez. Ez a lépés segít eltüntetni a mikroszkopikus foltokat és tökéletlenségeket a felületen.
5. Polírozás: Az utolsó lépés egy polírozógép használata az ostya polírozására, hogy megszüntesse a finom csiszolási folyamat során visszamaradt nyomokat, és tovább javítsa a felület minőségét. A polírozást általában polírozó folyadékkal (például szilícium-dioxid szol) és polírozó kendővel vagy polírozó betéttel végzik.
A fenti a szilícium-karbid lapka polírozásának általános folyamata. A konkrét paraméterek és módszerek a tényleges alkalmazásoktól és követelményektől függően változhatnak. A tényleges működés során be kell állítani és optimalizálni kell olyan tényezők alapján, mint a lapka mérete, a követelmények és a berendezés képességei.